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Universal Electric‐Field‐Driven Resistive Transition in Narrow‐Gap Mott Insulators
Online Contents | 2013| -
Universal Electric-Field-Driven Resistive Transition in Narrow-Gap Mott Insulators
Tema Archiv | 2013| -
Universal electric-field-driven resistive transition in narrow-gap Mott insulators
Freier ZugriffArXiv | 2013| -
Time−Temperature Integrator Based on the Dewetting of Polyisobutylene Thin Films
American Chemical Society | 2010| -
Time−Temperature Integrator Based on the Dewetting of Polyisobutylene Thin Films
Online Contents | 2010|Beteiligte: Stoliar, Pablo -
Synchronized optical and electrical characterization of discotic liquid crystals thin films
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2010| -
Synchronized optical and electrical characterization of discotic liquid crystals thin films
Online Contents | 2010|Beteiligte: Stoliar, Pablo -
Single-component artificial neuron based on Mott insulators, network of artificial neurons and corresponding manufacturing method
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2020| -
SINGLE-COMPONENT ARTIFICIAL NEURON BASED ON MOTT INSULATORS, NETWORK OF ARTIFICIAL NEURONS AND CORRESPONDING MANUFACTURING METHOD
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2017| -
Sign-changing non-monotonic voltage gain of HfO2/Parylene-C/SrTiO3 field-effect transistor due to percolative insulator to two-dimensional metal transition
American Institute of Physics | 2017| -
Sign-changing non-monotonic voltage gain of HfO2/Parylene-C/SrTiO3 field-effect transistor due to percolative insulator to two-dimensional metal transition
Online Contents | 2017|Beteiligte: Stoliar, Pablo -
Resistive switching phenomena in TiOx nanoparticle layers for memory applications
American Institute of Physics | 2014| -
Resistive switching phenomena in TiOx nanoparticle layers for memory applications
Freier ZugriffArXiv | 2014| -
Resistive switching induced by electronic avalanche breakdown in GaTa$_4$Se$_{8-x}$Te$_x$ narrow gap Mott Insulators
Freier ZugriffArXiv | 2013| -
Resistive Switching Induced by Electric Pulses in a Single-Component Molecular Mott Insulator
American Chemical Society | 2015| -
Resistive switching dependence on atomic layer deposition parameters in HfO2-based memory devices
NationallizenzRoyal Society of Chemistry | 2014|
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