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Sidewall transfer lithography for reliable fabrication of nanowires and deca-nanometer MOSFETs
Elsevier | 2008|Schlagwörter: Gate length -
Gate length dependence of bias temperature instability behavior in short channel SOI MOSFETs
Elsevier | 2016|Schlagwörter: Gate length -
Parasitic capacitance removal of sub-100nm p-MOSFETs using capacitance–voltage measurements
Elsevier | 2011|Schlagwörter: Effective gate length -
Investigation of parasitic capacitances of $ In_{2} $$ O_{5} $Sn gate electrode recessed channel MOSFET for ULSI switching applications
Online Contents | 2017|Schlagwörter: Gate Length -
Investigation of parasitic capacitances of $ In_{2} $$ O_{5} $Sn gate electrode recessed channel MOSFET for ULSI switching applications
Online Contents | 2017|Schlagwörter: Gate Length -
The effects of gate length variation and trapping effects on the transient response of AlGaN/GaN HEMT’s on SiC substrates
Elsevier | 2010|Schlagwörter: Gate length -
Metamorphic nanoheterostructures for millimeter-wave electronics
Online Contents | 2015|Schlagwörter: Gate Length -
Optimization of 1-µm gate length InGaAs-InAlAs pHEMT
Emerald Group Publishing | 2023|Schlagwörter: Gate length -
Effects of Gate-Length Scaling on Microwave MOSFET Performance
Freier ZugriffDOAJ | 2017|Schlagwörter: gate length -
Investigations of AlGaN/GaN HFETs utilizing post-metallization etching by nitric acid treatment
NationallizenzIOP Institute of Physics | 2013|Schlagwörter: gate-length variation -
Effect of Halo structure variations on the threshold voltage of a 22nm gate length NMOS transistor
Elsevier | 2013|Schlagwörter: 22nm Gate length -
The effect of gate length variation on InAlGaN/GaN HFET device characteristics
Tema Archiv | 2012|Schlagwörter: gate length variation -
Leakage current, capacitance hysteresis and deep traps in Al0.25Ga0.75N/GaN/SiC high-electron-mobility transistors
Elsevier | 2012|Schlagwörter: Gate length effect -
Investigation of geometry dependence on MOSFET linearity in the impact ionization region using Volterra series
Elsevier | 2015|Schlagwörter: Gate length -
Analysis of novel transparent gate recessed channel (TGRC) MOSFET for improved analog behaviour
Online Contents | 2015|Schlagwörter: Gate Length -
Gate-Length Dependent Radiation Damage in 2-MeV Electron-Irradiated Si1-xGex S/D p-MOSFETs
NationallizenzTrans Tech Publications | 2012|Schlagwörter: Gate Length -
Ultraviolet photoresponse of ZnO nanostructured AlGaN/GaN HEMTs
Elsevier | 2016|Schlagwörter: Gate length effect -
Effect of gate length in InAs/AlSb HEMTs biased for low power or high gain
Elsevier | 2007|Schlagwörter: Gate length -
Investigation of RF performance of Ku-band GaN HEMT device and an in-depth analysis of short channel effects
IOP Institute of Physics | 2024|Schlagwörter: 0.15 μm gate length -
Analysis of novel transparent gate recessed channel (TGRC) MOSFET for improved analog behaviour
Online Contents | 2015|Schlagwörter: Gate Length
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