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Synonyme wurden verwendet für: Galliumnitrid
Suche ohne Synonyme: keywords:("Galliumnitrid")
Verwendete Synonyme:
- cas 25617 97 4
- gallium nitride
- gan
-
Defect related optical and electrical properties of mbe grown cubic GaN epilayers
NationallizenzTaylor & Francis Verlag | 1998|Schlagwörter: GaN -
Raman scattering and photoluminescence properties of MBE-grown GaN on sapphire
NationallizenzTaylor & Francis Verlag | 1998|Schlagwörter: GaN -
Properties of Zincblende GaN and (In,Ga,Al)N Heterostructures grown by Molecular Beam Epitaxy
DataCite | 1999|Schlagwörter: Zinkblende GaN, Zincblende GaN -
Model calculations of the GaN(111) surface: Relaxations and native defects
Taylor & Francis Verlag | 2001|Schlagwörter: Gallium nitride -
Electrical characterization of growth-induced defects in n-GaN
Taylor & Francis Verlag | 2001|Schlagwörter: GaN -
Localization, disorder, and polarization fields in wide-gap semiconductor quantum wells
DataCite | 2001|Schlagwörter: Indium Gallium Nitride -
Micro-Raman scattering and microphotoluminescence of GaN thin films grown on sapphire by metal-organic chemical vapor deposition
SPIE | 2002|Schlagwörter: GaN -
Model for dc and rf characteristics of optically biased GaN metal semiconductor field effect transistor for electronic/optoelectronic microwave applications
SPIE | 2002|Schlagwörter: GaN metal semiconductor field effect transistor -
Elastic Properties of Zinc-blende G a N, A l N and I n N from Molecular Dynamics
Taylor & Francis Verlag | 2003|Schlagwörter: Zinc-blende Gan -
Model for illumination-dependent trap occupancy in optically biased GaN metal-semiconductor field effect transistor for improved electrical characteristics
SPIE | 2003|Schlagwörter: GaN metal-semiconductor field effect transistor -
Improved surface characteristics ofn-GaNepitaxial structures after reactive ion etching
SPIE | 2003|Schlagwörter: GaN -
Molecular Dynamics Simulations of Single-wall GaN Nanotubes
Taylor & Francis Verlag | 2004|Schlagwörter: Single-wall gallium nitride nanotubes -
Enhancement of light extraction of GaN-based light-emitting diodes with a microstructure array
SPIE | 2004|Schlagwörter: GaN -
Beveled sidewall formation and its effect on the light output of aGaInNmultiquantum well light-emitting diode with sapphire substrate
SPIE | 2005|Schlagwörter: GaN, GaN substrate -
Linear optical properties of III-nitride semiconductors between 3 and 30eV
DataCite | 2005|Schlagwörter: GaN -
MOVPE Growth and Characterization of Group-III Nitrides Using In Situ Spectroscopic Ellipsometry
DataCite | 2006|Schlagwörter: Galliumnitrid -
In situ Hall investigation of the electron-irradiated and annealed AlGaN/GaN HFETs
Taylor & Francis Verlag | 2006|Schlagwörter: AlGaN/GaN HFETs
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