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TRANSFERRING LARGE-AREA GROUP III-NITRIDE SEMICONDUCTOR MATERIAL AND DEVICES TO ARBITRARY SUBSTRATES
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2023| -
Transferring Large-Area Group III-Nitride Semiconductor Material and Devices to Arbitrary Substrates
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2021| -
Transferring large-area group III-Nitride semiconductor material and devices to arbitrary substrates
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2023| -
Semiconductor structure or device integrated with diamond
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2017| -
Thermal conductance across -Ga2O3-diamond van der Waals heterogeneous interfaces
Freier ZugriffAmerican Institute of Physics | 2019| -
(Invited) Materials Properties and Their Impact on Beta Gallium Oxide for High Power Electronics Applications
British Library Conference Proceedings | 2018| -
SURFACE PROFILE MAPPING FOR EVALUATING III-N DEVICE PERFORMANCE AND YIELD
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2023| -
Mapping and evaluating GaN wafers for vertical device applications
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2022| -
High electron mobility transistors and methods for fabricating the same
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2022| -
Surface Profile Mapping for Evaluating III-N Device Performance and Yield
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2021| -
Mapping and Evaluating GaN Wafers for Vertical Device Applications
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2020| -
DAMEGE-FREE PLASMA-ENHANCED CVD PASSIVATION OF AlGaN/GaN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2020| -
HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2018|
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