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Influence of relative wafer rotation on the electrical properties of the bonded SiC/SiC interface
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2004| -
Two field-emission states of single-walled carbon nanotubes
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2001| -
Growth of bulk AlN crystals by vaporization of aluminum in a nitrogen atmosphere
British Library Online Contents | 2002| -
Fabrication of a GaN lateral polarity junction by metalorganic chemical vapor deposition
British Library Online Contents | 2009| -
Growth of bulk AlN crystals by vaporization of aluminum in a nitrogen atmosphere
Tema Archiv | 2002| -
Interface chemistry and surface morphology in the initial stages of growth of GaN and AlN on α-SiC and sapphire
NationallizenzElsevier | 1994|
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