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(Invited) 4H-SiC Ion Implanted Bipolar Junctions: Relevance of the 1950°C Temperature for Post Implantation Annealing
British Library Conference Proceedings | 2016| -
Local Structure and Spin Transition in Fe2O3 Hematite at High-Pressure
Freier ZugriffArXiv | 2016| -
Excitation and nonradiative deexcitation processes of in crystalline Si
NationallizenzAmerican Physical Society | 1998| -
Role of surface and of dopant-impurity interactions on the electrical activation of B implants in crystalline Si
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1998| -
Interaction between Fe, dopants, and secondary defects in MeV Fe ion implanted InP
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1999| -
Hydrogen detection in ruthenium oxide layers by means of the 1H(15N,αγ)12C nuclear reaction
NationallizenzRoyal Society of Chemistry | 1985| -
Modeling of phosphorus diffusion in silicon oxide and incorporation in silicon nanocrystals
NationallizenzRoyal Society of Chemistry | 2016| -
Low-Frequency Phonon Driven Negative Thermal Expansion in Cubic GaFe(CN)6 Prussian Blue Analogues
American Chemical Society | 2018| -
Effect of the support on the surface properties of ruthenium dioxide on silica glass
NationallizenzRoyal Society of Chemistry | 1984| -
The effect of reactive plasma etching on the transient enhanced diffusion of boron in silicon
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1997| -
Surface and interface analysis of titanium nitride diffusion barriers
NationallizenzSpringer Verlag | 1994| -
Thermodynamic stability of high phosphorus concentration in silicon nanostructures
NationallizenzRoyal Society of Chemistry | 2015| -
Tunable thermal expansion in framework materials through redox intercalation
Freier ZugriffBASE | 2017|Beteiligte: Carnera, Alberto
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