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Charge trapping and recombination in dipolar field of charged defect cluster in silicon
Freier ZugriffArXiv | 2022| -
Increase of the photoconductivity quantum yield in silicon irradiated by neutrons to extremely high fluences
Freier ZugriffBASE | 2022| -
Increase of the photoconductivity quantum yield in silicon irradiated by neutrons to extremely high fluences
Freier ZugriffIOP Institute of Physics | 2022| -
METHOD AND DEVICE FOR MEASUREMENT OF LARGE FLUENCES AND DOSES OF HIGH ENERGY IRRADIATIONS
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2016| -
Defect analysis in fast electron irradiated silicon by Hall and magnetoresistivity means
British Library Online Contents | 2014| -
Krūvininkų sklaidos ir terminės aktyvacijos ypatumai dideliais ytėkiais apšvitintame silicyje ; Peculiarities of carrier scattering and thermal emission in large fluence irradiated silicon
Freier ZugriffBASE | 2016|Beteiligte: Vaitkus, Juozas Vidmantis -
Krūvininkų sklaidos ir terminės aktyvacijos ypatumai dideliais ytėkiais apšvitintame silicyje ; Peculiarities of carrier scattering and thermal emission in large fluence irradiated silicon
Freier ZugriffBASE | 2016|Beteiligte: Vaitkus, Juozas Vidmantis -
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Freier ZugriffBASE | 2016|Beteiligte: Vaitkus, Juozas Vidmantis
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