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Selective formation of an efficient Er‐O luminescence center in GaAs by metalorganic chemical vapor deposition under an atmosphere containing oxygen
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1993| -
Trap level characteristics of rare‐earth luminescence centers in III–V semiconductors
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1996| -
Optically enhanced oxidation of III‐V compound semiconductors
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1985| -
Erbium in Si: Estimation of energy transfer rate and trap depth from temperature dependence of intra-4f-shell luminescence
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1998| -
Photoluminescence analysis of Er‐doped GaAs under host photoexcitation and direct intra‐4f‐shell photoexcitation
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1995| -
Optical properties of the dominant Nd center in GaP
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1993| -
Band‐edge‐related luminescence due to the energy backtransfer in Yb‐doped InP
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1996| -
Photoluminescence characterization of Nd‐doped GaP grown by metalorganic chemical vapor deposition
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1992| -
Yb‐doped InP grown by metalorganic chemical vapor deposition
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1987| -
Multiphonon‐assisted energy transfer between Yb 4f shell and InP host
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1994| -
Direct verification of energy back transfer from Yb 4f‐shell to InP host
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1992| -
Extremely sharp erbium‐related intra‐4f‐shell photoluminescence of erbium‐doped GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1988| -
Er‐doped InP and GaAs grown by metalorganic chemical vapor deposition
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1987| -
Thermal quenching mechanism of Yb intra‐4f‐shell luminescence in InP
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1991|
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