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Beautiful Math, Part 2: Aesthetic Patterns Based on Fractal Tilings
British Library Online Contents | 2014| -
Endotaxial growth of CoSi2 within (111) oriented Si in a molecular beam epitaxy system
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1991| -
Molecular beam epitaxy growth and applications of epitaxial fluoride films
American Institute of Physics | 1986| -
Surface morphology of epitaxial CaF2 films on Si substrates
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1984| -
Growth parameters affecting the formation of buried CoSi2 by endotaxy of Co on Si(111)
American Institute of Physics | 1992| -
Growth parameters affecting the formation of buried CoSi~2 by endotaxy of Co on Si(111)
British Library Online Contents | 1992| -
Visible luminescence from silicon wafers subjected to stain etches
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1992| -
MIS characterization and modeling of the electrical properties of the epitaxial Caf2/Si(111) interface
NationallizenzSpringer Verlag | 1987| -
Heavily boron‐doped Si layers grown below 700 °C by molecular beam epitaxy using a HBO2 source
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1989| -
Co diffusion and growth of buried single‐crystal CoSi2 in Si(111) by endotaxy
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1992| -
Surface morphology of molecular‐beam epitaxially grown Si1−xGex layers on (100) and (110) Si
American Institute of Physics | 1992| -
Room‐temperature codeposition growth technique for pinhole reduction in epitaxial CoSi2 on Si (111)
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1988|
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