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Dependence of backgating on the type of deep centres in the substrate of GaAs FETs
Tema Archiv | 2008| -
Numerical Simulation of the Type Inversion in n+-p-p+ Si Solar Cells, Used for Space Applications, under 1 MeV Electron Irradiation
British Library Online Contents | 2014| -
Backgating effects in GaAs FETs with a channel-semi-insulating substrate boundary
Online Contents | 1995| -
Dependence of backgating on the type of deep centres in the substrate of GaAs FETs
British Library Online Contents | 2008| -
Modeling of the Transient Response of Substrate Traps to the Substrate Voltage in GaAs FET's
Online Contents | 1993|
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