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Comment on “Electrically injected spin-polarized vertical-cavity surface-emitting lasers” [Appl. Phys. Lett. 87, 091108 (2005)]
Freier ZugriffAmerican Institute of Physics | 2006| -
Anisotropic electron spin relaxation in bulk GaN
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2009| -
Room-temperature threshold reduction in vertical-cavity surface-emitting lasers by injection of spin-polarized electrons
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2005| -
Laser threshold reduction in a spintronic device
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2003| -
Long electron spin coherence in ion‐implanted GaN: The role of localization
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2013| -
Long room-temperature electron spin lifetimes in highly doped cubic GaN
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2010|
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