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On the Importance of Bandgap Formation in Graphene for Analog Device Applications
British Library Online Contents | 2011| -
Modeling of High-Performance p-Type III–V Heterojunction Tunnel FETs
British Library Online Contents | 2010| -
Frequency dependent characterization of transport properties in carbon nanotube transistors
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2004| -
Electronic transport properties of a tilted graphene p-n junction (7 pages)
British Library Online Contents | 2009| -
Screening and Interlayer Coupling in Multilayer Graphene Field-Effect Transistors
British Library Online Contents | 2009| -
On the Voltage Gain of Complementary Graphene Voltage Amplifiers With Optimized Doping
British Library Online Contents | 2012| -
Tunneling phenomena in carbon nanotube field-effect transistors
British Library Online Contents | 2008|
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