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On the Temperature and Field Dependence of Trap-Assisted-Tunneling Current in Ge p+n Junctions
Online Contents | 2009| -
Study of metal-related deep-level defects in germanide Schottky barriers on n-type germanium
Online Contents | 2008| -
BRIEFS - Factors Influencing the Leakage Current in Embedded SiGe Source-Drain Junctions
Online Contents | 2008| -
Shallow boron implantations in Ge and the role of the pre-amorphization depth
Online Contents | 2008| -
Shallow boron implantations in Ge and the role of the pre-amorphization depth
Online Contents | 2008| -
Deep level transient spectroscopy study of nickel-germanide Schottky barriers on n-type germanium
Online Contents | 2006|
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