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Influence of the partial pressure of GaCl3 in the growth process of GaN by HVPE under nitrogen
Online Contents | 2001| -
Hydrogen and nitrogen ambient effects on epitaxial growth of GaN by hydride vapour phase epitaxy
Online Contents | 2001| -
Computed Growth Rates of (001)GaN Substrates in the Hydride Vapour Phase Method
British Library Online Contents | 2001| -
Computed growth rates of (001) GaN substrates in the hydride vapour phase method
Tema Archiv | 2001| -
Computed growth rates of (001) GaN substrates in the hydride vapour phase method
Tema Archiv | 2001| -
Influence of the partial pressure of GaCl3 in the growth process of GaN by HVPE under nitrogen
British Library Online Contents | 2001| -
Experimental and Theoretical Study of the Growth of GaN on Sapphire by HVPE
British Library Conference Proceedings | 1999| -
Femtosecond time-resolved interferences of resonantly excited excitons in bulk GaN
Tema Archiv | 2004| -
Hydrogen and nitrogen ambient effects on epitaxial growth of GaN by hydride vapour phase epitaxy
British Library Online Contents | 2001| -
Femtosecond time-resolved interferences of resonantly excited excitons in bulk GaN
British Library Conference Proceedings | 2004| -
Experimental and Theoretical Study of the Growth of GaN on Sapphire by HVPE
British Library Online Contents | 1999| -
Thermodynamical and kinetic study of the GaN growth by HVPE under nitrogen
British Library Online Contents | 2001| -
Femtosecond time-resolved interferences of resonantly excited excitons in bulk GaN
British Library Online Contents | 2004| -
Thickness Influence on Optical and Morphological Properties of HVPE GaN Layers Grown on MOCVD GaN Layers
British Library Online Contents | 2002|
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