-
Transparent flexible resistive random access memory fabricated at room temperature
Online Contents | 2009| -
A ZnO cross-bar array resistive random access memory stacked with heterostructure diodes for eliminating the sneak current effect
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2011| -
Erratum: “Transparent resistive random access memory and its characteristics for nonvolatile resistive switching” [Appl. Phys. Lett. 93, 223505 (2008)]
Freier ZugriffAmerican Institute of Physics | 2010| -
Tungsten oxide as a buffer layer inserted at the SnO2/p-a-SiC interface of pin-type amorphous silicon based solar cells
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2010| -
Evidence of Al induced conducting filament formation in Al/amorphous silicon/Al resistive switching memory device
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2010| -
Transparent flexible resistive random access memory fabricated at room temperature
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2009| -
Erratum: “Transparent flexible resistive random access memory fabricated at room temperature” [Appl. Phys. Lett. 95, 133508 (2009)]
Freier ZugriffAmerican Institute of Physics | 2010| -
Tungsten oxide as a buffer layer inserted at the SnO2/p-a-SiC interface of pin-type amorphous silicon based solar cells
Online Contents | 2010|Beteiligte: Won Seo, Jung
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