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Interaction between depolarization effects, interface layer, and fatigue behavior in PZT thin film capacitors
American Institute of Physics | 2017| -
Resistive non-volatile memory devices (Invited Paper)
British Library Conference Proceedings | 2009| -
Redox Processes in Solids the Basis of Future Non-Volatile Memories?
British Library Online Contents | 2008| -
Electrode kinetics of Cu–SiO2-based resistive switching cells: Overcoming the voltage-time dilemma of electrochemical metallization memories
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2009| -
On the SET/RESET current asymmetry in electrochemical metallization memory cells
British Library Online Contents | 2014| -
Comment on Real-Time Observation on Dynamic Growth/Dissolution of Conductive Filaments in Oxide-Electrolyte- Based ReRAM
British Library Online Contents | 2013| -
Analytical analysis of the generic SET and RESET characteristics of electrochemical metallization memory cells
British Library Online Contents | 2013|
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