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Electrical characteristics of layer semiconductor p‐GaSe doped with Cd
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1993| -
Electrical properties of layer semiconductor p‐GaSe doped with Cu
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1996| -
Annealing Behavior of Layered Semiconductor p-GaSe Single Crystal
British Library Online Contents | 2001| -
Electrical Properties of p- and n-GaSe Doped with As and Ge (Short Note)
British Library Online Contents | 2000| -
Photoluminescence of Layer Semiconductor p-GaSe Doped with Mg
British Library Online Contents | 1996| -
Electron spin resonance of dangling bonds in highly disordered layers produced by ion implantation in GaP
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1983| -
Impurity Levels in p-Type Layered Semiconductor InSe Doped with Hg
British Library Online Contents | 1998| -
Temperature dependence of photoluminescence of layer semiconductor p-GaTe
British Library Online Contents | 1998| -
Zn‐induced impurity levels in layer semiconductor InSe
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1989| -
Electrical and Optical Characteristics of the Layer Semiconductor p-GaSe Doped with Ag
British Library Online Contents | 1997| -
Electrical properties of layer semiconductor p-GaSe doped with Cu
British Library Online Contents | 1996|
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