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Inclusion of Body Bias Effect in SPICE Modeling of 4H-SiC Integrated Circuit Resistors
British Library Conference Proceedings | 2018| -
Towards Making SiC ICs Durable and Accessible for Use in the Most Extreme Environments (Including Venus)
British Library Conference Proceedings | 2020| -
Electrical Impact of SiC Structural Crystal Defects on High Electric Field Devices
British Library Conference Proceedings | 2000| -
Electrical Impact of SiC Structural Crystal Defects on High Electric Field Devices
British Library Online Contents | 2000| -
Perimeter Governed Minority Carrier Lifetimes in 4H-SiC p^n Diodes Measured by Reverse Recovery Switching Transient Analysis
British Library Online Contents | 1998| -
Progress in Silicon Carbide Semiconductor Electronics Technology
British Library Conference Proceedings | 1995| -
DC Modeling of 4H-SiC nJFET Gate Length Reduction at 500°C
British Library Conference Proceedings | 2022| -
Progress towards high temperature, high power SiC devices
British Library Conference Proceedings | 1995| -
Experimental Study on Mitigation of Lifetime-Limiting Dielectric Cracking in Extreme Temperature 4H-SiC JFET Integrated Circuits
British Library Conference Proceedings | 2020| -
Progress in Silicon Carbide Semiconductor Electronics Technology
British Library Online Contents | 1995| -
Experimental and Theoretical Study of 4H-SiC JFET Threshold Voltage Body Bias Effect from 25 °C to 500 °C
British Library Conference Proceedings | 2016| -
Intermodulation-Distortion Performance of Silicon-Carbide Schottky-Barrier RF Mixer Diodes
British Library Online Contents | 2003| -
Nanosecond Risetime Pulse Characterization of SiC p^+n Junction Diode Breakdown and Switching Properties
British Library Conference Proceedings | 1998|
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