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Influence of the 90° partial dislocation core structure in silicon on energy levels
NationallizenzElsevier | 1994| -
Flux-to-voltage characteristic simulation of superconducting nanowire interference deviceProject supported by the National Key Research and Development Program of China (Grant No. 2017YFA0304000), the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 61671438 and 61827823), the Science and Technology Commission of Shanghai Municipality, China (Grant No. 18511110200), and the Program of Shanghai Academic/Technology Research Leader, China (Grant No. 18XD1404600).
paperIOP Institute of Physics | 2020|
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