Erscheinungsjahr
Medientyp
Format
Lizenz
Sprache
-
On coarse projective integration for atomic deposition in amorphous systems
Online Contents | 2015| -
Dislocation reduction in heteroepitaxial Ge on Si using SiO2 lined etch pits and epitaxial lateral overgrowth
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2011| -
Low defect density lattice-mismatched semiconductor devices and methods of fabricating same
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2016| -
Microsphere-Based Coatings for Radioactive Cooling Under Direct Sunlight
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2024| -
Method and System to Mimic A Random Structural Pattern
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2021| -
Microsphere-Based Coatings for Radioactive Cooling Under Direct Sunlight
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2020| -
A METHOD AND SYSTEM TO MIMIC A RANDOM STRUCTURAL PATTERN
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2019| -
Microsphere-based coatings for radioactive cooling under direct sunlight
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2019| -
Microsphere-Based Coatings for Radioactive Cooling Under Direct Sunlight
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2019| -
Parametric analysis of mechanically driven compositional patterning in SiGe substrates
American Institute of Physics | 2017| -
Effect of threading dislocation density and dielectric layer on temperature-dependent electrical characteristics of high-hole-mobility metal semiconductor field effect transistors fabricated from wafer-scale epitaxially grown p-type germanium on silicon substrates
American Institute of Physics | 2014| -
MICROSPHERE-BASED COATINGS FOR RADIATIVE COOLING UNDER DIRECT SUNLIGHT
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2017| -
Large-scale patterning of germanium quantum dots by stress transfer
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2016| -
Large-scale patterning of germanium quantum dots by stress transfer
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2017| -
Origin and removal of stacking faults in Ge islands nucleated on Si within nanoscale openings in SiO2
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2011| -
Experimental and theoretical investigation of thermal stress relief during epitaxial growth of Ge on Si using air-gapped SiO2 nanotemplates
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2011| -
Semiconductor device comprising epitaxially grown semiconductor material and an air gap
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2016|
Meine Suche schicken an (beta)
Schicken Sie ihre Suchanfrage (Suchterm ohne Filter) an andere Datenbanken, Portale und Kataloge, um ggf. weitere interessante Treffer zu finden:
Dimensions ist eine Datenbank für Abstracts und Zitate, die Informationen zu Forschungsförderungen mit daraus resultierenden Veröffentlichungen, Studien und Patenten verknüpft.
Im TIB AV-Portal können audiovisuelle Medien aus Wissenschaft und Lehre recherchiert und eigene wissenschaftliche Videos publiziert werden.
Im FID move kann nach fachspezifischer Literatur, Forschungsdaten und weitere Informationen aus der Mobilitäts- und Verkehrsforschung gesucht werden.
Der Open Research Knowledge Graph liefert strukturiert beschriebene Forschungsinhalte und macht diese vergleichbar.
Frei zugänglicher Ausschnitt der Verbunddatenbank K10plus des GBV und des SWB mit für die Fernleihe und Direktlieferdienste relevanten Materialien.