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Erratum: “Enhanced and polarization dependence of surface-enhanced Raman scattering in silver nanoparticle array-nanowire systems” [Appl. Phys. Lett. 102, 163108 (2013)]
Freier ZugriffAmerican Institute of Physics | 2015| -
All-metallic electrically gated 2H-TaSe2 thin-film switches and logic circuits
American Institute of Physics | 2014| -
Novel doping for synthesis monodispersed TiO2 grains filled into spindle-like hematite bi-component nanoparticles by ion implantation
Freier ZugriffAmerican Institute of Physics | 2012| -
Role of Cu on the electrical properties of solar cells: A cross-sectional conductive atomic force microscopy study
American Institute of Physics | 2007| -
Enhancement of in-field Jc in MgB2/Fe wire using single- and multiwalled carbon nanotubes
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2006| -
In situ polarized 3He system for the Magnetism Reflectometer at the Spallation Neutron Source
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2012| -
Study of characteristics of photoluminescence spectra in double‐barrier resonant tunneling structures
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1993| -
A convenient way of determining the ferromagnetic transition temperature of metallic (Ga,Mn)As
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2005| -
Half-metallic properties for the Mn2FeZ (Z=Al, Ga, Si, Ge, Sb) Heusler alloys: A first-principles study
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2008| -
Spin exchange optical pumping based polarized 3He filling station for the Hybrid Spectrometer at the Spallation Neutron Source
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2013| -
Further evidence for the presence of c=38.2 A˚ phase in a Bi‐Ca‐Sr‐Cu‐O superconductor
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1988| -
Microscopic reflection difference spectroscopy for strain field of GaN induced by Berkovich nanoindentation
American Institute of Physics | 2014| -
Changes in the interface capacitance for fatigued lead–zirconate–titanate capacitors
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2001| -
How deposition parameters control growth dynamics of deposited by hot-wire chemical vapor deposition
American Institute of Physics | 2006| -
Zero-field spin splitting in In0.52Al0.48As/InxGa1−xAs metamorphic high-electron-mobility-transistor structures on GaAs substrates using Shubnikov–de Haas measurements
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2002| -
High‐speed 1.3‐μm InGaAsP buried crescent lasers with Fe‐doped InP current blocking layers grown by organometallic vapor phase epitaxy using tertiarybutylphosphine
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1992| -
Molecular beam epitaxy growth of InP P-HEMTs with enhancement conductivity using an intentional nonlattice-matched buffer layer
American Institute of Physics | 1997| -
Multisubband transport of the two-dimensional electron gas in AlxGa1−xN/GaN heterostructures
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2003| -
Subband electron properties of highly doped InAlAs/InGaAs metamorphic high-electron-mobility transistors on GaAs substrates
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2001|
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