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Increased absorption in InAsSb nanowire clusters through coupled optical modes
Online Contents | 2017| -
III-V Nanowire Complementary Metal-Oxide Semiconductor Transistors Monolithically Integrated on Si
Online Contents | 2015| -
Schottky barriers in carbon nanotube-metal contacts
Freier ZugriffAmerican Institute of Physics | 2011| -
III-V Nanowire Complementary Metal-Oxide Semiconductor Transistors Monolithically Integrated on Si
Freier ZugriffBASE | 2015| -
Effects of Interface Oxidation on Noise Properties and Performance in III–V Vertical Nanowire Memristors
Freier ZugriffAmerican Chemical Society | 2023| -
III–V Nanowire Complementary Metal–Oxide Semiconductor Transistors Monolithically Integrated on Si
American Chemical Society | 2015| -
Reducing ambipolar off-state leakage currents in III-V vertical nanowire tunnel FETs using gate-drain underlap
Freier ZugriffAmerican Institute of Physics | 2019| -
Impact of doping and diameter on the electrical properties of GaSb nanowires
American Institute of Physics | 2017| -
Performance enhancement of GaSb vertical nanowire p-type MOSFETs on Si by rapid thermal annealing
Freier ZugriffIOP Institute of Physics | 2022| -
Impact of doping and diameter on the electrical properties of GaSb nanowires
Freier ZugriffBASE | 2017| -
Diameter-Dependent Photocurrent in InAsSb Nanowire Infrared Photodetectors.
Freier ZugriffBASE | 2013| -
Diameter-Dependent Photocurrent in InAsSb Nanowire Infrared Photodetectors
American Chemical Society | 2013| -
Increased absorption in InAsSb nanowire clusters through coupled optical modes
American Institute of Physics | 2017| -
Increased absorption in InAsSb nanowire clusters through coupled optical modes
Freier ZugriffBASE | 2017| -
A method for estimating defects in ferroelectric thin film MOSCAPs
Freier ZugriffAmerican Institute of Physics | 2020| -
Three-Dimensional Integration of InAs Nanowires by Template-Assisted Selective Epitaxy on Tungsten
Freier ZugriffAmerican Chemical Society | 2023| -
METHOD FOR A VERTICAL GATE-LAST PROCESS IN THE MANUFACTURING OF A VERTICAL NANOWIRE MOSFET
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2021| -
Combining Axial and Radial Nanowire Heterostructures: Radial Esaki Diodes and Tunnel Field-Effect Transistors
American Chemical Society | 2013| -
Improved Electrostatics through Digital Etch Schemes in Vertical GaSb Nanowire p‑MOSFETs on Si
Freier ZugriffAmerican Chemical Society | 2022| -
METHOD FOR A VERTICAL GATE-LAST PROCESS IN THE MANUFACTURING OF A VERTICAL NANOWIRE MOSFET
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2016| -
Doping Profiles in Ultrathin Vertical VLS-Grown InAs Nanowire MOSFETs with High Performance
Freier ZugriffAmerican Chemical Society | 2021| -
Determination of the Bending Rigidity of Graphene via Electrostatic Actuation of Buckled Membranes
Freier ZugriffArXiv | 2012|
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