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Implantation into metals for metastable alloy formation
NationallizenzTaylor & Francis Verlag | 1980| -
Ion beam technologies in the semiconductor world (plenary)
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2002| -
Effect of alloying behavior on the electrical characteristics of n‐GaAs Schottky diodes metallized with W, Au, and Pt
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1973| -
Hydrogen induced detrapping of transition metals in amorphous silicon
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1991| -
Summary Abstract: Interfacial analysis of metal–semiconductor structures
American Institute of Physics | 1983| -
Kinetics and mechanism of platinum silicide formation on silicon
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1974| -
Ion irradiation damage in Er‐doped silica probed by the Er3+ luminescence lifetime at 1.535 μm
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1993| -
Silicon/metal silicide heterostructures grown by molecular beam epitaxy
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1980| -
Evidence for void interconnection in evaporated amorphous silicon from epitaxial crystallization measurements
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1980| -
Growth rates for Pt2Si and PtSi formation under UHV and controlled impurity atmospheres
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1980| -
The interaction of channeled ions with foreign atoms in crystals
NationallizenzTaylor & Francis Verlag | 1972| -
Dopant compensation effects on impurity trapping and electrical resistivity of ion implanted amorphous silicon
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1993| -
Ion beam technologies in the semiconductor world (plenary)
British Library Conference Proceedings | 2002| -
Velocity dependence of maximum substitutional concentrations of In and Bi trapped in rapidly solidified Si
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1985|
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