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Selective lateral etching of InAs/GaSb tunnel junctions for mid-infrared photonics
Tema Archiv | 2012| -
Growth and characterization of AlInAsSb layers lattice-matched to GaSb
British Library Online Contents | 2017| -
Mechanisms affecting the photoluminescence spectra of GaInNAs after post-growth annealing
Online Contents | 2002| -
GaInNAs-GaAs quantum wells grown by molecular-beam epitaxy emitting above 1.5 (micro)m
Online Contents | 2003| -
Selective lateral etching of InAs/GaSb tunnel junctions for mid-infrared photonics
NationallizenzIOP Institute of Physics | 2012| -
On the origin of carrier localization in Ga1−xInxNyAs1−y/GaAs quantum wells
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2001| -
ELECTRONIC TRANSPORT AND SEMICONDUCTORS - p-type doping of Zn(Mg)BeSe epitaxial layers
Online Contents | 1999| -
GaSb-based, 2.2 μm type-I laser fabricated on GaAs substrate operating continuous wave at room temperature
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2009| -
MBE growth and interface formation of compound semiconductor heterostructures for optoelectronics
British Library Online Contents | 2007|
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