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Reaction kinetics and growth window for plasma-assisted molecular beam epitaxy of Ga2O3: Incorporation of Ga vs. Ga2O desorption
American Institute of Physics | 2016| -
The competing oxide and sub-oxide formation in metal-oxide molecular beam epitaxy
American Institute of Physics | 2015| -
Kinetics versus thermodynamics of the metal incorporation in molecular beam epitaxy of (InxGa1−x)2O3
Freier ZugriffAmerican Institute of Physics | 2016| -
Comparison of the growth kinetics of In2O3 and Ga2O3 and their suboxide desorption during plasma-assisted molecular beam epitaxy
American Institute of Physics | 2016| -
The inherent transport anisotropy of rutile tin dioxide (SnO2) determined by van der Pauw measurements and its consequences for applications
American Institute of Physics | 2018| -
High electron mobility In2O3(001) and (111) thin films with nondegenerate electron concentration
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2010| -
Mg acceptor doping of In2O3 and overcompensation by oxygen vacancies
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2012|
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