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MOVPE-grown GaInNAs VCSELs at 1.3 µm with conventional mirror design approach
IET Digital Library Archive | 2003| -
High-speed visible VCSEL for POF data links [3946-19]
British Library Conference Proceedings | 2000| -
Quest for very high speed VCSELs: pitfalls and clues (Invited Paper) [4286-11]
British Library Conference Proceedings | 2001| -
GaAs/AlGaAs Buried -Heterostructure Laser Diodes with Semi-Insulating GaInP:Fe Regrowth
British Library Conference Proceedings | 2001| -
Resonant Cavity-Enhanced InGaAs-AlGaAs Heterojunction Phototransistors with an Optical Design for High Uniformity and Yield
Online Contents | 1997|Beteiligte: Ghisoni, M. -
Selectively oxidized vertical-cavity surface-emitting lasers for high-speed data communication [4286-13]
British Library Conference Proceedings | 2001| -
High gain resonant cavity enhanced InGaAs-AlGaAs heterojunction phototransistor resonant at 930nm
Online Contents | 1995|Beteiligte: Ghisoni, M. -
X-ray characterisation of quantum well device structures
British Library Conference Proceedings | 1995| -
Reliable vertical-cavity components for multimode data communication (Invited Paper) [3946-25]
British Library Conference Proceedings | 2000| -
Semiconductor Lasers and Amplifiers - Monolithic Integration of Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser and Diffractive Optical Element for Advanced Beam Shaping
Online Contents | 1999|Beteiligte: Ghisoni, M. -
Cathodoluminescence study of the influence of misfit dislocations on hole accumulation in an n-AlGaAs-p-GaAs-n-InGaAs heterojunction phototransistor
Online Contents | 1996|Beteiligte: Ghisoni, M. -
Polarisation switching in a vertical cavity surface emitting semiconductor laser by frequency detuning
Online Contents | 2001|Beteiligte: Ghisoni, M. -
LASERS - Pure frequency-polarisation bistability in vertical cavity surface-emitting semiconductor laser subject to optical injection
Online Contents | 2000|Beteiligte: Ghisoni, M. -
Influence of structural defects on carrier recombination and current gain in an InGaAs-AlGaAs-GaAs heterojunction phototransistor
Online Contents | 1996|Beteiligte: Ghisoni, M. -
X-ray characterisation of InGaAs-AlAs multiple quantum well p-i-n structures
Online Contents | 1995|Beteiligte: Ghisoni, M. -
Ultrafast Recovery Time in a Strained InGaAs AlAs p-i-n Modulator
Online Contents | 1995|Beteiligte: Ghisoni, M. -
1.3(micro)m InGaAs vertical-cavity surface-emitting lasers with mode filter for single mode operation
Online Contents | 2004|Beteiligte: Ghisoni, M. -
LASERS - High-performance 1.3 mm InGaAs vertical cavity surface emitting lasers
Online Contents | 2003|Beteiligte: Ghisoni, M. -
PAPERS - Semiconductor Lasers - Performance Characteristics of Buried Heterostructure VCSELs Using Semi-Insulating GaInP:Fe Regrowth
Online Contents | 2001|Beteiligte: Ghisoni, M.
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