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Normally-off GaN-HEMTs with p-type gate: Off-state degradation, forward gate stress and ESD failure
Online Contents | 2016| -
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Analysis of Defect-Related Localized Emission Processes in InGaN/GaN-Based LEDs
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British Library Online Contents | 2015| -
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Leakage current and reverse-bias luminescence in InGaN-based light-emitting diodes
Online Contents | 2009| -
Optoelectronics - Degradation of High-Brightness Green LEDs Submitted to Reverse Electrical Stress
Online Contents | 2009| -
A model for the thermal degradation of metal-(p-GaN) interface in GaN-based light emitting diodes
Online Contents | 2008|
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