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Simulation of current–voltage characteristics of a MOS structure considering the tunnel transport of carriers in semiconductor
NationallizenzIOP Institute of Physics | 2006| -
Determination of the hole effective mass in thin silicon dioxide film by means of an analysis of characteristics of a MOS tunnel emitter transistor
NationallizenzIOP Institute of Physics | 2005| -
Quantization effects in hole inversion layers of tunnel MOS emitter transistors on Si (100) and (111) substrates at T = 300 K
NationallizenzIOP Institute of Physics | 1999| -
Hot-electron-induced luminescence of metal–oxide-semiconductor tunnel devices
NationallizenzIOP Institute of Physics | 2003| -
Measurement of the near-threshold Auger ionization probability in silicon
NationallizenzIOP Institute of Physics | 1995| -
Determination of correlation length for thickness fluctuations in thin oxide and fluoride films
NationallizenzIOP Institute of Physics | 2009|
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