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Light-emitting diodes based on GaSb alloys for the 1.6–4.4 μm mid-infrared spectral range
Online Contents | 2005| -
Light-emitting diodes based on GaSb alloys for the 1.6–4.4 μm mid-infrared spectral range
Springer Verlag | 2005| -
2.7–3.9 μm InAsSb(P)/InAsSbP low threshold diode lasers
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1994| -
Study of the emission extraction efficiency of mesa-LEDs with a narrow-gap InAsSb active region
British Library Online Contents | 2012| -
Study of the emission extraction efficiency of mesa-LEDs with a narrow-gap InAsSb active region
Springer Verlag | 2012| -
Study of the emission extraction efficiency of mesa-LEDs with a narrow-gap InAsSb active region
Online Contents | 2012| -
Light-Emitting Diodes Based on GaSb Alloys for the 1.6-4.4 mum Mid-Infrared Spectral Range
British Library Online Contents | 2005| -
LEDs (λmax = 3.6 μm) with cone-shaped light-emitting surfaces
British Library Online Contents | 2010| -
InAsSb/InAsSbP double-heterostructure lasers emitting in the 3–4 µm spectral range
Online Contents | 2001| -
Photovoltage and photocurrent in Pd–oxide–InP structures in a hydrogen medium
British Library Online Contents | 2016| -
Photovoltage and photocurrent in Pd–oxide–InP structures in a hydrogen medium
Online Contents | 2016| -
InAsSb/InAsSbP double-heterostructure lasers emitting in the 3–4 µm spectral range
Springer Verlag | 2001| -
High-efficiency LEDs of 1.6–2.4 µm spectral range for medical diagnostics and environment monitoring
Online Contents | 2003| -
The spectral linewidth of tunable semiconductor InAsSb/InAsSbP lasers emitting at 3.2–3.6 μm (2800–3100 cm−1)
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2001| -
Spectral line width of the current-tunable lasers on the base of InAsSb/InAsSbP at low temperature
Online Contents | 2002|
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