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>35% 5-junction space solar cells based on the direct bonding technique
IOP Institute of Physics | 2021| -
0+ tetraquark states from improved QCD sum rules: delving into X(5568)Supported by National Natural Science Foundation of China (11475258, 11105223, 11675263) and the Project in NUDT for Excellent Youth Talents
Freier ZugriffPaperIOP Institute of Physics | 2018| -
0.9 GHz and 2.4 GHz dual-band SiGe HBT LNA
NationallizenzSEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUITSIOP Institute of Physics | 2013| -
0.15-μm T-gate In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As InP-based HEMT with fmax of 390 GHz
NationallizenzINTERDISCIPLINARY PHYSICS AND RELATED AREAS OF SCIENCE AND TECHNOLOGYIOP Institute of Physics | 2013| -
1–3 piezoelectric composites for high-temperature transducer applications
NationallizenzPaperIOP Institute of Physics | 2013| -
1.3-μm 1 × 4 MMI coupler based on shallow-etched InP ridge waveguides
Semiconductor DevicesIOP Institute of Physics | 2014| -
1.3-μm InAs/GaAs quantum dots grown on Si substratesProject supported by the National Key Research and Development Program of China (Grant No. 2018YFA0306101), the Scientific Instrument Developing Project of Chinese Academy of Sciences (Grant No. YJKYYQ20170032), and the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 61790581, 61435012, and 61505196).
PaperIOP Institute of Physics | 2018| -
1.8-kV circular AlGaN/GaN/AlGaN double-heterostructure high electron mobility transistorProject supported by the National Key Research and Development Program of China (Grant No. 2016YFB0400100), the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 11435010, 61474086, and 61804125), and the Natural Science Basic Research Program of Shaanxi Province, China (Grant No. 2016ZDJC-02).
PaperIOP Institute of Physics | 2019| -
1.54 µm Er3+ electroluminescence from an erbium-compound-doped organic light emitting diode with a p-type silicon anode
NationallizenzIOP Institute of Physics | 2006| -
1d3v PIC/MCC simulation of dielectric barrier discharge dynamics in hydrogen sulfide
IOP Institute of Physics | 2022| -
1D fluid model of the interaction between helium APPJ and deionized water
IOP Institute of Physics | 2022| -
1D partially oxidized porous silicon photonic crystal reflector for mid-infrared application
NationallizenzIOP Institute of Physics | 2007| -
1-Gb/s zero-pole cancellation CMOS transimpedance amplifier for Gigabit Ethernet applications
NationallizenzIOP Institute of Physics | 2009| -
(001)-oriented PbTiO3 ferroelectric thin films grown on Si by metal-organic chemical vapour deposition
NationallizenzIOP Institute of Physics | 1995| -
1-W, high-repetition-rate room temperature operation of mid-infrared optical parametric oscillator based on periodically poled MgO-doped LiNbO
NationallizenzIOP Institute of Physics | 2008|
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