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Work function uniformity of Al–Ni alloys obtained by scanning Maxwell-stress microscopy as an effective tool for evaluating metal transistor gates
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2005| -
Vertical ultrathin-channel multi-gate MOSFETs (MuGFETs): technological challenges and future developments
Online Contents | 2009|Beteiligte: Matsukawa, Takashi -
Vertical double-gate MOSFET device technology
Online Contents | 2008|Beteiligte: Matsukawa, Takashi -
The Effects of Blood Glucose Concentration on the Shivering Threshold in Rabbits
British Library Online Contents | 2015| -
Structural and electrical characterization of epitaxial Ge thin films on Si(001) formed by sputtering
British Library Online Contents | 2017| -
Static noise margin enhancement by flex‐pass‐gate SRAM
Online Contents | 2011|Beteiligte: Matsukawa, Takashi -
Splice-site mutations in KIF5A in the Japanese case series of amyotrophic lateral sclerosis
Online Contents | 2020|
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