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Annealing behaviour of high-dose-implanted nitrogen in InP
NationallizenzSpringer Verlag | 1996|Schlagwörter: 61.72.Vv -
Influence of free electrons and point defects on the lattice parameters and thermal expansion of gallium nitride
NationallizenzSpringer Verlag | 1997|Schlagwörter: 61.72.Vv -
X-ray investigation of strain-compensated GaAs: C/AlAs: C distributed Bragg reflectors
NationallizenzSpringer Verlag | 1997|Schlagwörter: 61.72.Vv -
Site-specific chemistry of carbon tetrachloride decomposition on GaAs(001)
NationallizenzSpringer Verlag | 1998|Schlagwörter: PACS: 82.15.Gh; 61.72.Vv; 07.79.Cz -
In situ optical monitoring of metalorganic vapor phase epitaxy growth of C-doped GaAs
NationallizenzSpringer Verlag | 1999|Schlagwörter: PACS: 81.15.Gh; 61.72.Vv; 68.55.Jk -
Dopant diffusion and segregation in semiconductor heterostructures: Part 1. Zn and Be in III-V compound superlattices
NationallizenzSpringer Verlag | 1999|Schlagwörter: PACS: 61.72.Vv; 61.72.Ss; 61.72.Yx -
Spectroscopic process sensors in MOVPE device production
NationallizenzSpringer Verlag | 1999|Schlagwörter: PACS: 61.72.Vv; 68.35.Fx; 68.55.Ln; 78.40.Fy; 78.66.Fd; 81.05.Ea; 81.15.Gh -
Damage buildup and removal in Ca-ion-implanted GaN
NationallizenzSpringer Verlag | 2000|Schlagwörter: PACS: 68.55.Ln; 61.72.Vv; 81.40.Ef -
Characterization of optically excited terahertz radiation from arsenic-ion-implanted GaAs
NationallizenzSpringer Verlag | 2001|Schlagwörter: PACS: 78.47.+p; 61.72.Vv; 72.20.Jv; 73.30.+y; 42.88.+h; 42.50.Md; 42.65.Ky -
High Fe2+/3+ trap concentration in heavily compensated implanted InP
NationallizenzSpringer Verlag | 2001|Schlagwörter: PACS: 71.55.Eq; 61.72.Vv; 72.20.Jv; 72.80.Ey -
An EXAFS and XANES study of MBE grown Cu-doped ZnO
NationallizenzElsevier | 2002|Schlagwörter: 61.72.Vv -
Common structure in amorphised compound semiconductors
NationallizenzElsevier | 2002|Schlagwörter: 61.72.Vv -
Optical properties of Si-doped InAs/InP quantum dots
NationallizenzElsevier | 2002|Schlagwörter: 61.72.Vv -
Growth of carbon-doped LP-MOVPE InAlAs using non-gaseous sources
NationallizenzElsevier | 2002|Schlagwörter: 61.72.Vv -
Electrical and crystalline properties of as-grown p-type GaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy
NationallizenzElsevier | 2002|Schlagwörter: 61.72.Vv -
Semiconductor studies by radioactive probe atoms
NationallizenzElsevier | 2002|Schlagwörter: 61.72.Vv -
Oxygen doping of AlGaAs in MOVPE using triethoxyarsine
NationallizenzElsevier | 2002|Schlagwörter: 61.72.Vv -
Impact of dopants in GaN on the formation of two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
NationallizenzSpringer Verlag | 2002|Schlagwörter: PACS: 85.30.De; 85.30.Tv; 85.35.Be; 73.40.Kp; 61.72.Vv -
Intrinsische Punktdefekte in InSb und CdTe.
Mössbauerspectroscopic investigations on 119SnMößbauerspektroskopische Untersuchungen an 119SnDataCite | 2002|Schlagwörter: 61.72.Vv -
Optical properties of Mg-implanted GaN
NationallizenzSpringer Verlag | 2002|Schlagwörter: PACS: 61.72.Vv; 71.55.Eq; 72.80.Ey; 78.55.Cr; 68.55.Ln; 71.55.-i; 85.40.Ry
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