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Characterization of electrochemically grafted molecular layers on silicon for electronic device applications
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2009| -
Metal/molecule/p-type GaAs heterostructure devices
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2006| -
Enhanced current densities in Au/molecule/GaAs devices
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2004| -
Low noise and high-performance field effect transistors of 2-dimensional materials and methods to fabricate the same
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2024| -
LOW NOISE AND HIGH-PERFORMANCE FIELD EFFECT TRANSISTORS OF 2-DIMENSIONAL MATERIALS AND METHODS TO FABRICATE THE SAME
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2021| -
LOW NOISE AND HIGH-PERFORMANCE FIELD EFFECT TRANSISTORS OF 2-DIMENSIONAL MATERIALS AND METHODS TO FABRICATE THE SAME
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2019| -
Effect of contact properties on current transport in metal/molecule/GaAs devices
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2006| -
Interdigitated capacitive sensor for real-time monitoring of sub-micron and nanoscale particulate matters
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2023| -
INTERDIGITATED CAPACITIVE SENSOR FOR REAL-TIME MONITORING OF SUB-MICRON AND NANOSCALE PARTICULATE MATTERS
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2021| -
Electronic Transport through Ruthenium-Based Redox-Active Molecules in Metal−Molecule−Metal Nanogap Junctions
American Chemical Society | 2008| -
Nanoscale contacts between semiconducting nanowires and metallic graphenes
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2012| -
Nanometer Scale Gap Made by Conventional Microscale Fabrication: Step Junction
American Chemical Society | 2004| -
Fabrication and characterization of metal-molecule-silicon devices
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2007| -
Red-green-blue light sensitivity of oxide nanowire transistors for transparent display applications
Freier ZugriffAmerican Institute of Physics | 2013| -
Ambipolar conduction in transistors using solution grown InAs nanowires with Cd doping
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2007|
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