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3 group 3 metal precursor manufacturing method thereof and manufacturing method of thin film using same
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2023| -
4 GROUP IV TRANSITION METAL COMPOUNDS PREPARATION METHOD THEREOF AND PROCESS FOR THE FORMATION OF THIN FILMS USING THE SAME
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2022| -
4 GROUP IV TRANSITION METAL COMPOUNDS PREPARATION METHOD THEREOF AND PROCESS FOR THE FORMATION OF THIN FILMS USING THE SAME
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2020| -
4 GROUP IV TRANSITION METAL COMPOUNDS PREPARATION METHOD THEREOF AND PROCESS FOR THE FORMATION OF THIN FILMS USING THE SAME
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2020| -
4 group transition metal compounds method for their preparation and composition for thin film deposition containing them
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2021| -
4 NOVEL GROUP IV TRANSITION METAL COMPOUNDS AND PREPARATION METHOD THEREOF
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2020| -
4 NOVEL GROUP IV TRANSITION METAL COMPOUNDS PREPARATION METHOD THEREOF AND PROCESS FOR THE FORMATION OF THIN FILMS USING THE SAME
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2023| -
4 NOVEL GROUP IV TRANSITION METAL COMPOUNDS PREPARATION METHOD THEREOF AND PROCESS FOR THE FORMATION OF THIN FILMS USING THE SAME
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2023| -
13 Group 13 metal precursor composition for depositing thin film comprising the same and a process for producing the thin film using the composition
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2018| -
A method for manufacturing ANODE for solid oxide fuel cell
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2021| -
Analogue Artificial Synaptic Performance of Self‐Rectifying Resistive Switching Device
Freier ZugriffWiley | 2023| -
Analogue Artificial Synaptic Performance of Self‐Rectifying Resistive Switching Device (Adv. Electron. Mater. 8/2023)
Freier ZugriffWiley | 2023| -
An analysis of imprinted hysteresis loops for a ferroelectric Pb(Zr,Ti)O3 thin film capacitor using the switching transient current measurements
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2009| -
An analysis of “non-lattice” oxygen concentration effect on electrical endurance characteristic in resistive switching MnOx thin film
American Institute of Physics | 2015| -
Anisotropy of domain growth in epitaxial ferroelectric capacitors
Online Contents | 2010|Beteiligte: Kim, Gun Hwan
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