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Silicon nitride thin films prepared by the electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition method
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1989| -
Studies of Semiconductor Materials and Devices Using Infrared Tunable Laser
British Library Online Contents | 1998| -
p‐type ZnSe homoepitaxial layers grown by molecular beam epitaxy with nitrogen radical doping
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1991| -
Structures and SAW properties of rf‐sputtered single‐crystal films of ZnO on sapphire
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1980| -
Characteristics of Cl‐doped ZnSe layers grown by molecular‐beam epitaxy
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1987| -
Molecular beam epitaxial growth of nitrogen-doped ZnSe with ion doping technique
Tema Archiv | 1988| -
Photoluminescence properties of nitrogen‐doped ZnSe layers grown by molecular beam epitaxy with low‐energy ion doping
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1986| -
Preparation and Optical Properties of Semiconductor-Microcrystallites Deposited in Porous Vycor Glass
British Library Online Contents | 1993| -
Molecular beam epitaxial growth of nitrogen-doped ZnSe with ion doping technique
NationallizenzElsevier | 1988| -
Preparation and optical properties of silica gels in which small gold particles were grown by photoreduction
British Library Online Contents | 1995| -
Piezoelectric thin films of rf‐sputtered Bi12PbO19
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1976|
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