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Effect of dislocations on minority carrier diffusion length in practical silicon solar cells
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2006| -
Effect of dislocations on open circuit voltage in crystalline silicon solar cells
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2006| -
Verfahren zur Analyse des Erstarrungsverhaltens einer Siliziumschmelze zu einem Siliziumkristall
Freier ZugriffFraunhofer Publica | 2011| -
Feeding of liquid silicon for high performance multicrystalline silicon with increased ingot height and homogenized resistivity
British Library Online Contents | 2017| -
Analysis of grain structure evolution based on optical measurements of mc-Si wafers
British Library Online Contents | 2018| -
Development of high performance multicrystalline silicon with controlled seeding
Freier ZugriffFraunhofer Publica | 2018| -
Determination of spatially resolved trapping parameters in silicon with injection dependent carrier density imaging
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2006| -
Analysis of grain structure evolution based on optical measurements of mc-Si wafers
British Library Online Contents | 2018| -
Grain boundaries and dislocations in Si-bricks: inline characterization on as-cut wafers
British Library Online Contents | 2017| -
Development of high performance multicrystalline silicon with controlled seeding
Freier ZugriffBASE | 2018| -
Grain boundaries and dislocations in Si-bricks: inline characterization on as-cut wafers
British Library Online Contents | 2017| -
Imaging method for laterally resolved measurement of minority carrier densities and lifetimes: Measurement principle and first applications
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2003| -
Analysis of grain structure evolution based on optical measurements of mc Si wafers
British Library Online Contents | 2016|
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