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Analysis of technological operations for growing vegetables in a greenhouse
American Institute of Physics | 2024| -
Topological domain characteristics during the transition from ferroelectric to antiferroelectric in hexagonal manganites
Freier ZugriffAmerican Institute of Physics | 2024| -
Characterization of photoelastic materials by Mach–Zehnder interferometry: Application to trigonal calcium galogermanate (CGG) crystals
Freier ZugriffAmerican Institute of Physics | 2024| -
Improving the technology of meat pates using vegetable raw materials of various origins
American Institute of Physics | 2024| -
Terahertz super-radiance from picosecond electron bunches moving through a micro-undulator
Freier ZugriffAmerican Institute of Physics | 2024| -
Erratum: “Acquisition and analysis of scanning tunneling spectroscopy data—WSe2 monolayer” [J. Vac. Sci. Technol. A 39, 011001 (2021)]
Freier ZugriffAmerican Institute of Physics | 2024| -
Exploring the boundary layer transition of hypersonic flow over a compound delta wing
American Institute of Physics | 2024| -
Research of technological processes of commercial and technical operation of motor transport
American Institute of Physics | 2024| -
Qualitative indicators of the work of the tillage plant during beet cultivation
American Institute of Physics | 2024| -
Molecular beam epitaxy growth and characterization of GePb alloys
American Institute of Physics | 2024| -
Evolution of the pseudogap temperature dependence in YBa2Cu3O7–δ films under the influence of a magnetic field
American Institute of Physics | 2024| -
Hybrid programming-model strategies for GPU offloading of electronic structure calculation kernels
American Institute of Physics | 2024| -
Evolution of the electron phase space of the two-stream and bump-on-tail instabilities in collisional plasma
Freier ZugriffAmerican Institute of Physics | 2024| -
Controlling grain growth to achieve improved magnetic properties of NdCeFeB magnets via grain boundary diffusion
American Institute of Physics | 2024| -
Impact of deposition temperature on electrical properties of HZO-based FeRAM
Freier ZugriffAmerican Institute of Physics | 2024| -
Non-amphoteric N-type doping with Sn of GaAs(631) layers grown by molecular beam epitaxy
Freier ZugriffAmerican Institute of Physics | 2024| -
Effects of ion implantation with arsenic and boron in germanium-tin layers
American Institute of Physics | 2024| -
Monolayer calibration of endofullerenes with x-ray absorption from implanted keV ion doses
American Institute of Physics | 2024|
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