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In Situ Monitoring of Etching Characteristic and Surface Reactions in Atomic Layer Etching of SiN Using Cyclic CF4/H2 and H2 Plasmas
American Chemical Society | 2023| -
An approach to reduce surface charging with cryogenic plasma etching using hydrogen-fluoride contained gases
American Institute of Physics | 2023| -
Etching Mechanism Based on Hydrogen Fluoride Interactions with Hydrogenated SiN Films Using HF/H2 and CF4/H2 Plasmas
American Chemical Society | 2023| -
Diagnostics of a nanosecond atmospheric plasma jet. Ionization waves, plasma density and electric field dynamics
American Institute of Physics | 2023| -
Exchange bias and crystal structure of epitaxial (111) FePt/BiFeO3 sputtered thin films
American Institute of Physics | 2014|
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