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Degradation mechanisms of Ti/Al/Ni/Au-based Ohmic contacts on AlGaN/GaN HEMTs
Online Contents | 2015| -
(Invited) Radiation Effects in AlGaN/GaN and InAlN/GaN High Electron Mobility Transistors
British Library Conference Proceedings | 2015| -
Novel approach to improve heat dissipation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors with a Cu filled via under device active area
American Institute of Physics | 2014| -
High electron mobility transistors with improved heat dissipation
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2019| -
HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS WITH IMPROVED HEAT DISSIPATION
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2016| -
HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS WITH IMPROVED HEAT DISSIPATION
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2017| -
A Novel Approach to Improve Heat Dissipation of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with a Backside Cu Via
British Library Conference Proceedings | 2015| -
Investigating the Effects of Annealing on Off-State Step-Stressed AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
British Library Conference Proceedings | 2015| -
Effects of 340 keV proton irradiation on InGaN/GaN blue light-emitting diodes
American Institute of Physics | 2015| -
Tungsten Fluoride Soak And Treatment For Tungsten Oxide Removal
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2023| -
TUNGSTEN FLUORIDE SOAK AND TREATMENT FOR TUNGSTEN OXIDE REMOVAL
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2023| -
Investigating the effect of thermal annealing on dc performance of off-state drain-voltage step-stressed AlGaN/GaN high electron mobility transistors
American Institute of Physics | 2015| -
Study on the effects of proton irradiation on the dc characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistors with source field plate
American Institute of Physics | 2014| -
Effect of proton irradiation on thermal resistance and breakdown voltage of InAlN/GaN high electron mobility transistors
American Institute of Physics | 2014| -
Effect of proton irradiation on AlGaN/GaN high electron mobility transistor off-state drain breakdown voltage
American Institute of Physics | 2014| -
Improvement of drain breakdown voltage with a back-side gate on AlGaN/GaN high electron mobility transistors
American Institute of Physics | 2015| -
Effects of 340 Kev Proton Irradiation on InGaN/GaN Blue Light-Emitting Diodes
British Library Conference Proceedings | 2015| -
A Novel Backside Gate Structure to Improve Device Performance
British Library Conference Proceedings | 2015| -
Low and moderate dose gamma-irradiation and annealing impact on electronic and electrical properties of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
British Library Online Contents | 2015|
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