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GaN devices with ion implanted ohmic contacts and method of fabricating devices incorporating the same
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2023| -
GaN Devices With Ion Implanted Ohmic Contacts and Method of Fabricating Devices Incorporating the Same
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2022| -
GaN Devices With Ion Implanted Ohmic Contacts and Method of Fabricating Devices Incorporating the Same
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2021| -
HETEROJUNCTION DEVICES AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2021| -
Heterojunction devices and methods for fabricating the same
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2022| -
GaN Devices With Ion Implanted Ohmic Contacts and Method of Fabricating Devices Incorporating the Same
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2023| -
GaN Devices With Ion Implanted Ohmic Contacts and Method of Fabricating Devices Incorporating the Same
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2022| -
GaN devices with ion implanted ohmic contacts and method of fabricating devices incorporating the same
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2021| -
Heterojunction devices and methods for fabricating the same
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2020| -
UV Laser slicing of Beta-Ga2O3 by micro-crack generation and propagation
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2020| -
Engineering the Spectral and Spatial Dispersion of Thermal Emission via Polariton–Phonon Strong Coupling
American Chemical Society | 2021| -
Assessment of the (010) $\beta$-Ga$_2$O$_3$ Surface and Substrate Specification
Freier ZugriffArXiv | 2021| -
HETEROJUNCTION DEVICES AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2018| -
(KEYNOTE) EXPLORATION OF PROCESS TECHNIQUES FOR GA~2O~3 BASED DIODES
British Library Conference Proceedings | 2019| -
Polarization-Engineered Heterogeneous Semiconductor Heterostructures
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2023| -
Nanocrystalline diamond three-dimensional films in patterned semiconductor substrates
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2016| -
Electrical characterization of ALD HfO2 high-k dielectrics on (01) β-Ga2O3
American Institute of Physics | 2018|
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