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Detection of chlorine on aluminum by means of nuclear reactions
NationallizenzAmerican Chemical Society | 1972| -
New matrix effect in ion‐excited x‐ray elemental analysis
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1976| -
Nonequilibrium Carrier Dynamics in GaAs Semiconductors Induced by Energetic Ions
Springer Verlag | 1990| -
Surface treatment of (11¯02) sapphire and (100) silicon for molecular beam epitaxial growth
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1984| -
Vacancy configurations of argon projectile ions in solids
NationallizenzAmerican Physical Society | 1974| -
Charge-Collection Efficiency of GaAs Field Effect Transistors Fabricated with a Low-Temperature Grown Buffer Layer: Dependence on Charge Deposition Profile
British Library Online Contents | 2000| -
Summary Abstract: Ion implantation dependence of the defect reduction in silicon on sapphire during double solid phase epitaxial regrowth
American Institute of Physics | 1985| -
Evidence for a surface ferromagnetic layer in amorphous YFe2
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1979| -
Charge-Collection Characteristics of GaAs MESFETs Fabricated with a Low-Temperature Grown GaAs Buffer Layer: Computer Simulation
British Library Conference Proceedings | 1996| -
Characterization of LT GaAs Carrier Lifetime in Multilayer GaAs Epitaxial Wafers by the Transient Reflectivity Technique
British Library Conference Proceedings | 1997| -
Application of an ion microbeam to determine the radial carrier density in an ion track
British Library Conference Proceedings | 1998| -
Nuclear spectroscopy using risetimes in cerussite scintillator
British Library Online Contents | 1992| -
Charge-collection characteristics of GaAs heterostructure FETs fabricated with a low-temperature grown GaAs buffer layer
British Library Conference Proceedings | 1996|
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