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Mechanism of TMAl pre-seeding in AlN epitaxy on Si (111) substrate
Elsevier | 2013|Schlagwörter: TMAl -
Growth and Implementation of Carbon-Doped AlGaN Layers for Enhancement-Mode HEMTs on 200 mm Si Substrates
Online Contents | 2016|Schlagwörter: TMAl pre-dosing -
Evaluation of the total maximum allocated load of dissolved inorganic nitrogen using a watershed–coastal ocean coupled model
Elsevier | 2019|Schlagwörter: TMAL -
Structural properties, crystal quality and growth modes of MOCVD-grown AlN with TMAl pretreatment of sapphire substrate
Online Contents | 2017|Schlagwörter: TMAl pretreatment -
Influence of the TMAl source flow rate of the high temperature AlN buffer on the properties of GaN grown on Si(111) substrate
Elsevier | 2016|Schlagwörter: TMAl source flow rate -
Comparison of the AlN and GaN crystalline quality on 2-inch silicon substrate via two growth methods
Elsevier | 2020|Schlagwörter: A2. Preflow TMAl -
Growth and Implementation of Carbon-Doped AlGaN Layers for Enhancement-Mode HEMTs on 200 mm Si Substrates
Online Contents | 2016|Schlagwörter: TMAl pre-dosing -
Magneto-optical activity and luminescence of f-f transitions in trigonal crystal TmAl3(BO3)4
Elsevier | 2010|Schlagwörter: TmAl3(BO3)4 -
Blue photoluminescence behavior in TmxY1−xAl3(BO3)4 nanopowders and structural correlations
Elsevier | 2019|Schlagwörter: TmAl3(BO3)4 -
InAlN/GaN heterostructure field-effect transistors on Fe-doped semi-insulating GaN substrates
American Institute of Physics | 2010|Schlagwörter: trimethylaluminum (TMAl) -
Polarity Selection Process and Polarity Manipulation of GaN in MOVPE and RF-MBE Growth
NTIS | 2002|Schlagwörter: Tmal(Trimthyl-aluminum preflow)
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