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Controlled fabrication of gallium nitride nano- and micro-wires by dielectrophoretic force and torque
Online Contents | 2010|Beteiligte: Mastro, Michael A. -
Delta-doped β-(AlxGa1−x)2O3/Ga2O3 heterostructure field-effect transistors by ozone molecular beam epitaxy
American Institute of Physics | 2021| -
Design of Gallium Nitride Resonant Cavity Light Emitting Diodes on Si Substrates
Freier ZugriffArXiv | 2020| -
Design of gallium nitride resonant cavity light-emitting diodes on Si substrates
Tema Archiv | 2008| -
Determination of GaN polarity on periodically oriented surfaces
American Institute of Physics | 2015| -
Determination of GaN polarity on periodically oriented surfaces
Online Contents | 2015|Beteiligte: Mastro, Michael A -
Dielectric relaxation of ZnO nanostructure synthesized by soft chemical method
Online Contents | 2010|Beteiligte: Mastro, Michael A. -
Effect of 5 MeV proton irradiation damage on performance of β-Ga2O3 photodetectors
American Institute of Physics | 2016| -
Effect of 5 MeV proton irradiation damage on performance of β-Ga2O3 photodetectors
Online Contents | 2016|Beteiligte: Mastro, Michael A -
Effect of front and back gates on β-Ga2O3 nano-belt field-effect transistors
American Institute of Physics | 2016| -
Effect of front and back gates on β-Ga2O3 nano-belt field-effect transistors
Online Contents | 2016|Beteiligte: Mastro, Michael A -
Effect of GaN Substrate Properties on Vertical GaN PiN Diode Electrical Performance
Online Contents | 2021| -
Effect of GaN surface treatment on Al2O3/n-GaN MOS capacitors
American Institute of Physics | 2015| -
Effect of Temperature and Al Concentration on the Electrical Performance of GaN and Al0.2Ga0.8N Accumulation-Mode FET Devices
NationallizenzTrans Tech Publications | 2010|Beteiligte: Mastro, Michael A.
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