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First Principle Study of the Electronic Properties of 3C-SiC Doped with Different Amounts of Ni
Online Contents | 2012| -
The enhanced polarization relaxation and excellent high-temperature dielectric properties of N-doped SiC
American Institute of Physics | 2014| -
Enhanced photoconductivity of 3C-SiC by Al/N codoping
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2013| -
Molecular dynamics study of primary radiation damage in TiVTa concentrated solid-solution alloy
IOP Institute of Physics | 2024| -
Microwave Absorption Properties of Ni-Foped SiC Powders in the 2–18 GHz Frequency Range
NationallizenzIOP Institute of Physics | 2011| -
First Principle Study of the Electronic Properties of 3C-SiC Doped with Different Amounts of Ni
NationallizenzCONDENSED MATTER: ELECTRONIC STRUCTURE, ELECTRICAL, MAGNETIC, AND OPTICAL PROPERTIESIOP Institute of Physics | 2012| -
Two-dimensional nanosheets of MoS2: a promising material with high dielectric properties and microwave absorption performance
NationallizenzRoyal Society of Chemistry | 2015|
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