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Temperature-dependent characteristics of MBE-grown GaAs p+-v-p+-v-n+ regenerative switching device
IET Digital Library Archive | 1985| -
GaAs n+ iδp+ in+ barrier transistor with ultra-thin p+AlGaAs base prepared by molecular beam epitaxy
IET Digital Library Archive | 1986| -
GaAs power metal-insulator-semiconductor field effect transistor with superlattice gate insulator and superlattice buffer structure
NationallizenzElsevier | 1990| -
A novel, very high breakdown voltage, field effect transistor prepared by molecular beam epitaxy
NationallizenzElsevier | 1990| -
A study on beryllium-doped Al(x)-Ga(1-x)As layers grown by molecular beam epitaxy
Tema Archiv | 1990| -
A new functional, resonant-tunneling bipolar transistor with a superlattice emitter
Tema Archiv | 1991|
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