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Integrated circuits in silicon carbide for high-temperature applications
British Library Online Contents | 2015| -
Material aspects of wide temperature range amplifier design in SiC bipolar technologies
Online Contents | 2016| -
Material aspects of wide temperature range amplifier design in SiC bipolar technologies
Online Contents | 2016| -
High frequency characteristic of a monolithic 500°C OpAmp-RC integrator in SiC bipolar IC technology
British Library Online Contents | 2017| -
High frequency characteristic of a monolithic 500°C OpAmp-RC integrator in SiC bipolar IC technology
British Library Online Contents | 2017| -
Investigation of a Self-Aligned Cobalt Silicide Process for Ohmic Contacts to Silicon Carbide
Freier ZugriffOnline Contents | 2019| -
Investigation of a Self-Aligned Cobalt Silicide Process for Ohmic Contacts to Silicon Carbide
Online Contents | 2019| -
Wide Bandgap Integrated Circuits for High Power Management in Extreme Environments
Springer Verlag | 2019| -
A study on positive-feedback configuration of a bipolar SiC high temperature operational amplifier
British Library Online Contents | 2016| -
A study on positive-feedback configuration of a bipolar SiC high temperature operational amplifier
British Library Online Contents | 2016| -
Ultrafast Pulsed I-V and Charge Pumping Interface Characterization of Low Voltage n-Channel SiC MOSFETs
Freier ZugriffBASE | 2020|
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