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Double-scaled potential profile in a group-III nitride alloy revealed by Monte Carlo simulation of exciton hopping
British Library Online Contents | 2003| -
Double-scaled potential profile in a group-III nitride alloy revealed by Monte Carlo simulation of exciton hopping
Online Contents | 2003|Beteiligte: Zukauskas, A. -
Radiation-defect-dependent photoconductivity transients and photoluminescence in semi-insulating GaN
British Library Online Contents | 2004| -
Stimulated emission due to spatially separated electron-hole plasma and exciton system in homoepitaxial GaN (9 pages)
British Library Online Contents | 2004| -
Observation of localization effects in InGaN/GaN quantum structures by means of the application of hydrostatic pressure
British Library Online Contents | 2004| -
Semiconductors II: Surfaces, interfaces, microstructures, and related topics - Stimulated emission due to spatially separated electron-hole plasma and exciton system in homoepitaxial GaN (9 pages)
Online Contents | 2004|Beteiligte: Zukauskas, A. -
Role of radiation defects in photoconductivity transients and photoluminescence spectra of epitaxial GaN layers
British Library Online Contents | 2005| -
Exciton hopping in In~xGa~1~-~xN multiple quantum wells (5 pages)
British Library Online Contents | 2005| -
Exciton hopping and nonradiative decay in AlGaN epilayers (3 pages)
British Library Online Contents | 2005| -
Photoluminescence temperature behavior and Monte Carlo simulation of exciton hopping in InGaN multiple quantum wells
British Library Online Contents | 2005| -
Stimulated Emission from the MBE Grown Homoepitaxial InGaN Based Multiple Quantum Wells Structures
British Library Online Contents | 2005| -
Carrier localization effect in polarized InGaN multiple quantum wells
British Library Online Contents | 2005| -
Monte Carlo simulation approach for a quantitative characterization of the band edge in InGaN quantum wells
British Library Online Contents | 2005| -
Excitation power dynamics of photoluminescence in InGaN/GaN quantum wells with enhanced carrier localization (7 pages)
British Library Online Contents | 2005| -
Influence of n-type doping on light emission properties of GaN layers and GaN-based quantum well structures
British Library Online Contents | 2005|
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