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Microstructural contributions to hole transport in p-type GaN:Mg
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2001| -
Bulk noise processes and their correlation to structural imperfections in magnesium-doped p-type GaN grown on sapphire
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2000| -
Anisotropy of Carrier Transport in the Active Region of Lasers With Self-Assembled InAs Quantum Dashes
British Library Online Contents | 2006| -
Interpolating semiconductor alloy parameters: Application to quaternary III–V band gaps
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2003| -
Modeling Quantum Structures with the Boundary Element Method
British Library Online Contents | 2001| -
Modulated molecular beam growth of mixed As/Sb layers for mid-infrared lasers [3889-75]
British Library Conference Proceedings | 2000| -
Blocking of resonant tunneling by electron Bragg reflectors in GaAs/Al~xGa~1~-~xAs quantum well structures
British Library Online Contents | 2001| -
Boundary element modeling of quantum structures (Invited Paper) [4283-22]
British Library Conference Proceedings | 2001| -
Microstructural contributions to hole transport in p-type GaN:Mg
British Library Online Contents | 2001| -
Temperature dependence of the mercury telluride‐cadmium telluride band offset
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1989| -
Bulk noise processes in magnesium-doped GaN grown on sapphire
American Institute of Physics | 1999| -
Bulk noise processes and their correlation to structural imperfections in magnesium-doped p-type GaN grown on sapphire
British Library Online Contents | 2000| -
Estimating the band discontinuity at GaInSb/GaSb heterojunction by investigation of single-quantum well photoluminescence
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2003| -
2 μm GaInAsSb/AlGaAsSb midinfrared laser grown digitally on GaSb by modulated-molecular beam epitaxy
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2000| -
Bulk Noise Processes in Magnesium-Doped GaN Grown on Sapphire
British Library Conference Proceedings | 1999| -
Comparison of the carrier induced refractive index, gain, and linewidth enhancement factor in quantum dot and quantum well lasers
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 2004| -
Analysis of Reduced Interband Absorption Mechanisms in Semiconductor Quantum Wells
British Library Online Contents | 1994| -
Gain without inversion in interband transitions of semiconductor quantum wells from a single-particle perspective
British Library Online Contents | 1996| -
Large-area, infrared nanophotonic materials fabricated using interferometric lithography
American Institute of Physics | 2005|
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