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Photoelectric integrated chip integrating luminescence and detection and preparation method thereof
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2023| -
III-NITRIDE SEMICONUCTOR DEVICES HAVING A BORON NITRIDE ALLOY CONTACT LAYER AND METHOD OF PRODUCTION
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2020| -
MULTI-QUANTUM-WELL STRUCTURE, PHOTOELECTRIC DEVICE EPITAXIAL WAFER AND PHOTOELECTRIC DEVICE
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2021| -
Gallium nitride-based transistor and passivation method of gallium nitride-based transistor
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2023| -
Preparation method of three-electrode LED chip applied to optical communication system
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2023| -
III-NITRIDE SEMICONUCTOR DEVICES HAVING A BORON NITRIDE ALLOY CONTACT LAYER AND METHOD OF PRODUCTION
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2019| -
Optoelectronic device having a boron nitride alloy electron blocking layer and method of production
Freier ZugriffEuropäisches Patentamt | 2021|
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