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Photoluminescence determination of the Fermi energy in heavily doped strained Si1 - xGex layers
Online Contents | 1994| -
Impact of oxygen related extended defects on silicon diode characteristics
NationallizenzAmerican Institute of Physics | 1995| -
Simulation of SiGe Solar Cells with Optical Confinement and Dark Current Reduction
British Library Conference Proceedings | 1997| -
Spectroscopic Study of Oxygen Related Lattice Defects in Annealed Silicon
British Library Conference Proceedings | 1994| -
Low Temperature Passivation of SiGe-Alloy Solar Cells
British Library Conference Proceedings | 1997| -
Impact of oxygen related extended defects on silicon diode characteristics
British Library Online Contents | 1995| -
Spectroscopic ellipsometry of strained Si~1~-~xGe~x layers
British Library Conference Proceedings | 1993| -
Photoluminescence determination of the Fermi energy in heavily doped strained Si~1~-~xGe~x layers
British Library Online Contents | 1994| -
On the Recombination Activity of Oxygen Precipitation Related Lattice Defects in Silicon
British Library Conference Proceedings | 1995| -
X-Ray Diffraction and Reflectance, Raman Scattering and Photoluminescence Characterization of Thermally Annealed Epitaxial Si~1~-~xGe~x Layers
British Library Conference Proceedings | 1993| -
RTA-Preparation of -FeSi~2 Layers From MBE-Grown Fe-Si Films Deposited on Si and Relaxed SiGe (100) Substrates
British Library Conference Proceedings | 1995|
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